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FIB-SEM | DB550

Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo (FE-SEM) con columnas de haz de iones enfocados (FIB)

El microscopio electrónico de barrido con haz de iones enfocado (FIB-SEM) CIQTEK DB550 tiene una columna de haz de iones enfocado para nanoanálisis y preparación de muestras. Utiliza tecnología de óptica electrónica de “súper túnel”, diseño de objetivo no magnético y de baja aberración, y tiene la característica de “bajo voltaje, alta resolución” para garantizar sus capacidades analíticas a nanoescala.

Las columnas de iones facilitan una fuente de iones de metal líquido Ga+ con haces de iones altamente estables y de alta calidad para garantizar las capacidades de nanofabricación. El DB550 es una estación de trabajo de nanoanálisis y fabricación todo en uno con un nanomanipulador integrado, un sistema de inyección de gas y un software GUI fácil de usar.

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FIB-SEM features

1. "Super Tunnel" tecnología de columna de óptica electrónica/desaceleración del haz en la columna

Disminuye el efecto de carga espacial, asegurando un rendimiento de resolución de bajo voltaje.

2. Sin cruces en la trayectoria del haz de electrones

Reduzca eficazmente las aberraciones de la lente y mejore la resolución.

3. Lente objetivo compuesta electromagnética y electrostática

Reduce las aberraciones, mejora significativamente la resolución a bajos voltajes y permite la observación de muestras magnéticas.

4. Lente objetivo de temperatura constante refrigerada por agua

Asegure la estabilidad, confiabilidad y repetibilidad del rendimiento de la lente objetivo.

5. Sistema de conmutación de apertura variable de múltiples orificios mediante desviación del haz electromagnético

El cambio automático entre aperturas sin movimiento mecánico permite un cambio rápido entre varios modos de imagen.

Aspectos técnicos destacados de CIQTEK DB550 FIB-SEM

FIBSEM - Focused Ion Beam Column

Columna de haz de iones enfocados (FIB)

Resolución: 3 nm@30 kV

Corriente de la sonda: 1 pA a 65 nA

Rango de voltaje de aceleración: 0,5 kV a 30 kV

Intervalo de intercambio de fuente de iones: ≥1000 horas

Estabilidad: 72 horas de funcionamiento ininterrumpido


FIBSEM - Nano-manipulator

Nanomanipulador

Cámara montada internamente

Accionamiento totalmente piezoeléctrico de tres ejes

Precisión del motor paso a paso ≤10 nm

Velocidad máxima de desplazamiento 2 mm/s

Sistema de control integrado


FIBSEM - Ion Beam-Electron Beam Collaboration

Colaboración entre haz de iones y haz de electrones


FIBSEM - Gas Injection System

Sistema de inyección de gas

Diseño SIG único

Varias fuentes de precursores de gas disponibles

Distancia de inserción de la aguja ≥35 mm

Repetibilidad del movimiento ≤10 μm

Repetibilidad del control de temperatura de calefacción ≤0,1°C

Rango de calentamiento: temperatura ambiente a 90°C (194°F)

Sistema de control integrado

Semiconductores

En la industria de los semiconductores, los chips IC pueden sufrir varios fallos. Se utilizan varios métodos para analizar los chips y mejorar la confiabilidad. En particular, el análisis de haz de iones enfocados (FIB) es una técnica analítica confiable.

Caracterización de muestras/fabricación micronano/análisis de secciones transversales/preparación de muestras TEM/análisis de fallas

Nueva industria energética

Observación y análisis de secciones transversales de materiales para investigación y desarrollo de procesos.

Observación de morfología/Análisis del tamaño de partículas/Análisis de sección transversal / Análisis de composición y fase/Análisis de fallas del material de batería de iones de litio/P de muestra TEMReparación

Material cerámico

Análisis de materiales: el sistema FIB-SEM puede realizar micro-nano mecanizado e imágenes de materiales cerámicos de alta precisión, combinados con varios modos de detección de señales, como electrones retrodispersados ​​(BSE) y espectroscopia de rayos X de dispersión de energía (EDX). , Patrón de difracción retrodispersada de electrones (EBSD) y espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS), para estudiar el material en escala micro a nano con espacio tridimensional en profundidad.

Material de aleación

Para aumentar la resistencia, dureza, tenacidad, etc., de los metales, se añaden al metal otras sustancias como cerámica, metales, fibras, etc. utilizando métodos como metalurgia, fundición, extrusión, etc., que se denominan fases reforzadas.

La muestra TEM preparada por FIB-SEM se utiliza para observar información como fases reforzadas y átomos límite a través de señales electrónicas transmitidas. Las muestras TEM se pueden utilizar para análisis de difracción de Kikuchi (TKD) de transmisión, análisis metalográficos, análisis de composición y pruebas in situ de la sección transversal de aleaciones.

ⶠInterfaz gráfica de usuario

FIB-SEM software

Plataforma de interfaz de usuario altamente integrada

Las funciones de procesamiento e imágenes del microscopio SEM están integradas dentro de una interfaz de usuario general, con referencias comparativas mostradas a la izquierda y a la derecha.

FIB-SEM software

Accesorios de hardware e interfaces de usuario de desarrollo propio, como el sistema de inyección de gas y el nanomanipulador, diseño intuitivo para una operación fácil de usar.

ⶠDetector Everhart-Thornley (ETD)

ⶠDetector de electrones en la lente

ⶠDetector retráctil de electrones retrodispersados ​​(BSED) *Opcional

ⶠDetector de microscopía electrónica de transmisión de barrido (STEM) *Opcional

  • Scanning Transmission Electron Microscopy Detector (STEM)

ⶠBloqueo de carga de intercambio de muestras

Reduzca eficazmente la contaminación de la cámara Diseño de riel guía lineal, apertura y cierre estilo cajón.

  • Specimen Exchange Loadlock

ⶠAvances en microscopía electrónica CIQTEK: más opciones

Espectrometría de dispersión de energía

  • Energy Dispersive Spectrometry

Catoluminiscencia

  • sem image analysis -Catholuminescence
  • sem image analysis - Catholuminescence

EBSD

  • sem EBSD
  • sem EBSD

Especificaciones CIQTEK FIB-SEM DB550
Óptica electrónica Tipo de pistola de electrones Pistola de electrones de emisión de campo Schottky de alto brillo
Resolución 0,9 nm@15 kV; 1,6 nm@1kV
Voltaje de aceleración 0,02 kV a 30 kV
Sistema de haz de iones Tipo de fuente de iones Galio
Resolución 3 nm@30 kV
Voltaje de aceleración 0,5 kV a 30 kV
Cámara de muestras Sistema de vacío Control completamente automático, sistema de vacío sin aceite
Cámaras

Tres cámaras

(Navegación óptica x1 + monitor de cámara x2)
Tipo de etapa Plata de muestras eucéntrica mecánica motorizada de 5 ejes
Rango de escenario

X=110 mm, Y=110 mm, Z=65 mm

T: -10°~+70°, R:360°
Detectores y extensiones SEM Estándar

Detector de electrones en lente

Detector Everhart-Thornley (ETD)
Opcional

Detector retráctil de electrones retrodispersados ​​(BSED)

Detector retráctil de microscopía electrónica de transmisión de barrido (STEM)

Espectrómetro de dispersión de energía (EDS/EDX)

Patrón de difracción de retrodispersión de electrones (EBSD)

Nanomanipulador

Sistema de inyección de gas

Limpiador de plasma

Bloqueo de carga de intercambio de muestras

Panel de control de perilla y bola de seguimiento
Interfaz de usuario Idiomas inglés
Sistema operativo Windows
Navegación Navegación óptica, navegación rápida por gestos
Funciones automáticas Brillo y contraste automáticos, enfoque automático, estigmador automático
Etiquetas calientes : Proveedor global de microscopio electrónico de barrido con haz de iones enfocado Proveedor global del fabricante del microscopio electrónico de barrido FIB FIB SEM FE SEM Mejor precio de venta FIB SEM FE SEM diapositivas de notas de aplicación en pdf Análisis de imágenes SEM con haz de iones enfocado (FIB) Detector FIB SEM EBSD BSED STEM EDS ETD Inlens Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo con columna de haz de iones enfocado Introducción al SEM con haz de iones enfocado
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