TEM de emisión de campo | TH-F120

Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo (FE-SEM) con columnas de haz de iones enfocados (FIB) El microscopio electrónico de barrido con haz de iones enfocado (FIB-SEM) CIQTEK DB550 tiene una columna de haz de iones enfocado para nanoanálisis y preparación de muestras. Utiliza tecnología de óptica electrónica de “súper túnel”, diseño de objetivo no magnético y de baja aberración, y tiene la característica de “bajo voltaje, alta resolución” para garantizar sus capacidades analíticas a nanoescala. Las columnas de iones facilitan una fuente de iones de metal líquido Ga+ con haces de iones altamente estables y de alta calidad para garantizar las capacidades de nanofabricación. El DB550 es una estación de trabajo de nanoanálisis y fabricación todo en uno con un nanomanipulador integrado, un sistema de inyección de gas y un software GUI fácil de usar.

Microscopio electrónico de barrido de alta velocidad para imágenes a escala cruzada de muestras de gran volumen CIQTEK HEM6000 incorpora tecnologías como el cañón de electrones de corriente de haz grande y alto brillo, el sistema de desviación del haz de electrones de alta velocidad, la desaceleración de la etapa de muestra de alto voltaje, el eje óptico dinámico y el objetivo combinado de inmersión electromagnética y electrostática. para lograr la adquisición de imágenes de alta velocidad y al mismo tiempo garantizar una resolución a nanoescala. El proceso de operación automatizado está diseñado para aplicaciones como un flujo de trabajo de imágenes de alta resolución de áreas grandes más eficiente e inteligente. La velocidad de obtención de imágenes puede alcanzar más de 5 veces más que la de un microscopio electrónico de barrido por emisión de campo convencional (FESEM).

La microscopía electrónica de barrido por emisión de campo de resolución ultraalta (FESEM) desafía los límites El CIQTEK SEM5000X es un FESEM de resolución ultraalta con un diseño de columna óptica electrónica optimizado, que reduce las aberraciones generales en un 30 % y logra una resolución ultraalta de 0,6 nm a 15 kV y 1,0 nm a 1 kV. . Su alta resolución y estabilidad lo hacen ventajoso en la investigación avanzada de materiales nanoestructurales, así como en el desarrollo y fabricación de chips CI semiconductores de nodos de alta tecnología.

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