La difracción de retrodispersión de electrones (EBSD) es una técnica de microscopía ampliamente utilizada en la ciencia de los materiales. Analiza los ángulos y las diferencias de fase de los electrones retrodispersados que se producen cuando una muestra interactúa con un haz de electrones de alta energía para determinar características clave como la estructura cristalina y la orientación del grano. En comparación con un microscopio tradicional...SElectron M enlatadomicroscopio (SEM)EBSD proporciona una mayor resolución espacial y puede obtener datos cristalográficos a nivel submicrométrico, ofreciendo detalles sin precedentes para analizar microestructuras de materiales. Características de la técnica EBSD EBSD combina las capacidades de microanálisis deMicroscopio electrónico de transmisión (TEM) y las capacidades de análisis estadístico de áreas extensas de la difracción de rayos X. La EBSD es conocida por su análisis de estructura cristalina de alta precisión, el rápido procesamiento de datos, la simplicidad del proceso de preparación de muestras y la capacidad de combinar información cristalográfica con morfología microestructural en la investigación en ciencia de materiales. Un microscopio electrónico de barrido (SEM) equipado con un sistema EBSD no solo proporciona información sobre micromorfología y composición, sino que también permite el análisis de orientación microscópica, lo que facilita enormemente el trabajo de los investigadores. Aplicación de EBSD en SEM En el microscopio electrónico de barrido (MEB), cuando un haz de electrones interactúa con la muestra, se generan diversos efectos, incluyendo la difracción de electrones en planos de la red cristalina dispuestos regularmente. Estas difracciones forman un patrón de Kikuchi, que no solo contiene información sobre la simetría del sistema cristalino, sino que también se corresponde directamente con el ángulo entre los planos cristalinos y los ejes cristalográficos, con una relación directa con el tipo de sistema cristalino y los parámetros de la red. Estos datos pueden utilizarse para identificar fases cristalinas mediante la técnica EBSD. Para fases cristalinas conocidas, la orientación del patrón de Kikuchi se corresponde directamente con la orientación del cristal. Componentes del sistema EBSD Para realizar el análisis EBSD, se necesita un conjunto de equipos que incluye unSMicroscopio electrónico enlatado Se requiere un sistema EBSD. El núcleo del sistema es el microscopio electrónico de barrido (MEB), que produce un haz de electrones de alta energía y lo enfoca sobre la superficie de la muestra. El hardware del sistema EBSD suele incluir una cámara CCD sensible y un sistema de procesamiento de imágenes. La cámara CCD captura las imágenes de electrones retrodispersados, y el sistema de procesamiento de imágenes realiza el promedio de patrones y la sustracción de fondo para extraer patrones Kikuchi claros. Funcionamiento del detector EBSD Obtener patrones Kikuchi de EBSD mediante ...

La tecnología de haces de iones enfocados (FIB) se ha convertido en un componente esencial de los avances tecnológicos modernos, en particular en la fabricación de semiconductores y la nanofabricación. Si bien la tecnología FIB es bien conocida, su historia y desarrollo son poco conocidos.Haz de iones enfocado (FIB) Es un instrumento de microcorte que utiliza lentes electromagnéticas para enfocar un haz de iones en un área muy pequeña.La FIB implica acelerar iones desde una fuente de iones (la mayoría de las FIB usan Ga, pero algunos dispositivos tienen fuentes de iones He y Ne) y luego enfocar el haz sobre la superficie de la muestra.Microscopio electrónico de barrido de haz de iones enfocado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) Origen de la tecnología FIB Desde el siglo XX, la nanotecnología se ha desarrollado rápidamente como un campo emergente en ciencia y tecnología. Actualmente, representa una de las áreas de vanguardia del avance científico y tecnológico y tiene implicaciones significativas para el desarrollo económico y social como estrategia nacional. Las nanoestructuras poseen propiedades únicas debido a que sus unidades estructurales se aproximan a la longitud de coherencia de los electrones y a la longitud de onda de la luz, lo que genera efectos superficiales e interfaciales, efectos de tamaño y efectos de tamaño cuántico. Presentan numerosas características novedosas en electrónica, magnetismo, óptica y mecánica, y poseen un enorme potencial en aplicaciones de dispositivos de alto rendimiento. El desarrollo de nuevas estructuras y dispositivos a escala nanométrica requiere el avance de técnicas de micronanofabricación precisas, multidimensionales y estables. Los procesos de micronanofabricación son extensos y comúnmente involucran técnicas como la implantación de iones, la fotolitografía, el grabado y la deposición de películas delgadas. En los últimos años, con la tendencia a la miniaturización en los procesos de fabricación modernos, la tecnología de haz de iones enfocado (FIB) se ha aplicado cada vez más en la fabricación de micro-nano estructuras en diversos campos, convirtiéndose en una técnica indispensable e importante en la micro-nanofabricación.La tecnología FIB se basa en sistemas convencionales de haz de iones y haz de electrones enfocado, y es esencialmente la misma. A diferencia de los haces de electrones, la FIB escanea la superficie de la muestra mediante un haz de iones generado por una fuente de iones tras la aceleración y el enfoque. Dado que los iones tienen una masa mucho mayor que los electrones, incluso los iones más ligeros, como los iones H+, tienen una masa más de 1800 veces superior a la de los electrones. Esto permite que el haz de iones no solo logre capacidades de imagen y exposición similares a las de los haces de electrones, sino que también utilice la gran masa del ion para pulverizar átomos de superficies sólidas, lo que lo convierte en una herramienta de procesamiento directo. La FIB también puede inducir la depo...

Crear una imagen perfecta requiere una combinación de conocimientos teóricos y experiencia práctica, así como un equilibrio entre muchos factores. Este proceso puede presentar algunos desafíos en el uso de... Microscopio electrónico. Aestigmatismo El astigmatismo es una de las correcciones más difíciles de realizar en una imagen y requiere práctica. La imagen central de la siguiente figura muestra un enfoque correcto tras la corrección del astigmatismo. Las imágenes izquierda y derecha son ejemplos de una corrección deficiente del astigmatismo, lo que resulta en franjas estiradas. Para lograr imágenes precisas, la sección transversal de laHaz de electronesLa sonda debe ser circular al alcanzar la muestra. La sección transversal de la sonda puede distorsionarse, adquiriendo una forma elíptica. Esto puede deberse a diversos factores, como la precisión del mecanizado y defectos en la pieza polar magnética o el devanado de cobre en la fundición de la bobina ferromagnética. Esta deformación se denomina viñeteo y puede dificultar el enfoque. Grave aEl estigmatismo es una de las correcciones más difíciles de realizar en una imagen y requiere práctica. La imagen central de la siguiente figura muestra un enfoque correcto tras la corrección del astigmatismo. Las imágenes izquierda y derecha son ejemplos de una corrección deficiente del astigmatismo, lo que resulta en franjas alargadas. Esto puede manifestarse como "franjas" en la dirección X. A medida que la imagen pasa de subenfoque a sobreenfoque, las franjas cambian a la dirección Y. Cuando el enfoque es preciso, las franjas desaparecen y se puede lograr un enfoque correcto si el tamaño del punto es adecuado. Cuando se amplía aproximadamente 10.000 veces, si no hay rayas en ninguna dirección cuando el objetivo se ajusta para subenfocar o sobreenfocar, generalmente se considera que no hay aestigmatismoen la imagen. Aestigmatismo suele ser insignificante en imágenes con un aumento inferior a 1000 veces. El mejor enfoque para corregir el viñeteado es establecer los desplazamientos del viñeteador X e Y en cero (es decir, sin viñetas). aestigmatismo corrección) y luego enfoque la muestra con la mayor precisión posible. Después, ajuste los ejes X o Y. aestigmatismo control (no se puede ajustar simultáneamente) para obtener la mejor imagen y reenfocar. Efectos de borde Los efectos de borde se producen debido a una mejoramiyoemisión de electronesEn los bordes de la muestra. Los efectos de borde se deben a la influencia de la morfología en la generación de electrones secundarios y también explican el contorno de imagen producido por el detector de electrones secundarios. Los electrones fluyen preferentemente hacia los bordes y picos, y se emiten desde ellos, lo que resulta en una menor intensidad de señal en áreas obstruidas por el detector, como los huecos. Los electrones retrodispersados emitidos desde la región de la muestra orientada hacia el detector también mejoran el contraste topográfico. Reducir el volt...

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Basado en el D haz mi lectrón METRO icroscopio DB550 Controlado independientemente por Ciqtek , el T ransmisión mi lectrón METRO icroscopio (TEM) La preparación de la muestra a nanoescala de chips de nodo de proceso de 28 nm se logró con éxito. La verificación de TEM puede analizar claramente las dimensiones clave de cada estructura, proporcionando una solución de detección de precisión doméstica para el análisis de defectos del proceso de semiconductores y la mejora del rendimiento.