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¿Qué es el haz de iones enfocado (FIB)?
¿Qué es el haz de iones enfocado (FIB)?
La tecnología de haces de iones enfocados (FIB) se ha convertido en un componente esencial de los avances tecnológicos modernos, en particular en la fabricación de semiconductores y la nanofabricación. Si bien la tecnología FIB es bien conocida, su historia y desarrollo son poco conocidos.Haz de iones enfocado (FIB) Es un instrumento de microcorte que utiliza lentes electromagnéticas para enfocar un haz de iones en un área muy pequeña.La FIB implica acelerar iones desde una fuente de iones (la mayoría de las FIB usan Ga, pero algunos dispositivos tienen fuentes de iones He y Ne) y luego enfocar el haz sobre la superficie de la muestra.Microscopio electrónico de barrido de haz de iones enfocado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) Origen de la tecnología FIB Desde el siglo XX, la nanotecnología se ha desarrollado rápidamente como un campo emergente en ciencia y tecnología. Actualmente, representa una de las áreas de vanguardia del avance científico y tecnológico y tiene implicaciones significativas para el desarrollo económico y social como estrategia nacional. Las nanoestructuras poseen propiedades únicas debido a que sus unidades estructurales se aproximan a la longitud de coherencia de los electrones y a la longitud de onda de la luz, lo que genera efectos superficiales e interfaciales, efectos de tamaño y efectos de tamaño cuántico. Presentan numerosas características novedosas en electrónica, magnetismo, óptica y mecánica, y poseen un enorme potencial en aplicaciones de dispositivos de alto rendimiento. El desarrollo de nuevas estructuras y dispositivos a escala nanométrica requiere el avance de técnicas de micronanofabricación precisas, multidimensionales y estables. Los procesos de micronanofabricación son extensos y comúnmente involucran técnicas como la implantación de iones, la fotolitografía, el grabado y la deposición de películas delgadas. En los últimos años, con la tendencia a la miniaturización en los procesos de fabricación modernos, la tecnología de haz de iones enfocado (FIB) se ha aplicado cada vez más en la fabricación de micro-nano estructuras en diversos campos, convirtiéndose en una técnica indispensable e importante en la micro-nanofabricación.La tecnología FIB se basa en sistemas convencionales de haz de iones y haz de electrones enfocado, y es esencialmente la misma. A diferencia de los haces de electrones, la FIB escanea la superficie de la muestra mediante un haz de iones generado por una fuente de iones tras la aceleración y el enfoque. Dado que los iones tienen una masa mucho mayor que los electrones, incluso los iones más ligeros, como los iones H+, tienen una masa más de 1800 veces superior a la de los electrones. Esto permite que el haz de iones no solo logre capacidades de imagen y exposición similares a las de los haces de electrones, sino que también utilice la gran masa del ion para pulverizar átomos de superficies sólidas, lo que lo convierte en una herramienta de procesamiento directo. La FIB también puede inducir la depo...
Cómo eliminar el astigmatismo/efectos de borde/efectos de carga
Cómo eliminar el astigmatismo/efectos de borde/efectos de carga
Crear una imagen perfecta requiere una combinación de conocimientos teóricos y experiencia práctica, así como un equilibrio entre muchos factores. Este proceso puede presentar algunos desafíos en el uso de... Microscopio electrónico. Aestigmatismo El astigmatismo es una de las correcciones más difíciles de realizar en una imagen y requiere práctica. La imagen central de la siguiente figura muestra un enfoque correcto tras la corrección del astigmatismo. Las imágenes izquierda y derecha son ejemplos de una corrección deficiente del astigmatismo, lo que resulta en franjas estiradas. Para lograr imágenes precisas, la sección transversal de laHaz de electronesLa sonda debe ser circular al alcanzar la muestra. La sección transversal de la sonda puede distorsionarse, adquiriendo una forma elíptica. Esto puede deberse a diversos factores, como la precisión del mecanizado y defectos en la pieza polar magnética o el devanado de cobre en la fundición de la bobina ferromagnética. Esta deformación se denomina viñeteo y puede dificultar el enfoque. Grave aEl estigmatismo es una de las correcciones más difíciles de realizar en una imagen y requiere práctica. La imagen central de la siguiente figura muestra un enfoque correcto tras la corrección del astigmatismo. Las imágenes izquierda y derecha son ejemplos de una corrección deficiente del astigmatismo, lo que resulta en franjas alargadas. Esto puede manifestarse como "franjas" en la dirección X. A medida que la imagen pasa de subenfoque a sobreenfoque, las franjas cambian a la dirección Y. Cuando el enfoque es preciso, las franjas desaparecen y se puede lograr un enfoque correcto si el tamaño del punto es adecuado. Cuando se amplía aproximadamente 10.000 veces, si no hay rayas en ninguna dirección cuando el objetivo se ajusta para subenfocar o sobreenfocar, generalmente se considera que no hay aestigmatismoen la imagen. Aestigmatismo suele ser insignificante en imágenes con un aumento inferior a 1000 veces. El mejor enfoque para corregir el viñeteado es establecer los desplazamientos del viñeteador X e Y en cero (es decir, sin viñetas). aestigmatismo corrección) y luego enfoque la muestra con la mayor precisión posible. Después, ajuste los ejes X o Y. aestigmatismo control (no se puede ajustar simultáneamente) para obtener la mejor imagen y reenfocar. Efectos de borde Los efectos de borde se producen debido a una mejoramiyoemisión de electronesEn los bordes de la muestra. Los efectos de borde se deben a la influencia de la morfología en la generación de electrones secundarios y también explican el contorno de imagen producido por el detector de electrones secundarios. Los electrones fluyen preferentemente hacia los bordes y picos, y se emiten desde ellos, lo que resulta en una menor intensidad de señal en áreas obstruidas por el detector, como los huecos. Los electrones retrodispersados emitidos desde la región de la muestra orientada hacia el detector también mejoran el contraste topográfico. Reducir el volt...
Introducción al principio del haz de iones enfocado (FIB)
Introducción al principio del haz de iones enfocado (FIB)
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ciqtek fib show:  dual-beam electron microscope facilitates 28mm chip process analysis
ciqtek fib show: dual-beam electron microscope facilitates 28mm chip process analysis
Basado en el D haz mi lectrón METRO icroscopio DB550 Controlado independientemente por Ciqtek , el T ransmisión mi lectrón METRO icroscopio (TEM) La preparación de la muestra a nanoescala de chips de nodo de proceso de 28 nm se logró con éxito. La verificación de TEM puede analizar claramente las dimensiones clave de cada estructura, proporcionando una solución de detección de precisión doméstica para el análisis de defectos del proceso de semiconductores y la mejora del rendimiento. 
Aplicación del microscopio electrónico de barrido en la caracterización de materiales metálicos
Aplicación del microscopio electrónico de barrido en la caracterización de materiales metálicos
Los materiales metálicos juegan un papel indispensable en la industria moderna, y su rendimiento afecta directamente la calidad del producto y la vida útil Con el desarrollo continuo de la ciencia de los materiales, se han presentado requisitos más altos para la estructura microscópica y el análisis de composición de los materiales metálicos Como una herramienta de caracterización avanzada,Microscopio electrónico de barrido(SEM) puede proporcionar información de morfología de la superficie de alta resolución y combinar con técnicas de análisis espectroscópico para la determinación de la composición elemental, lo que lo convierte en una herramienta importante en la investigación de materiales metálicos Este artículo tiene como objetivo discutir la aplicación de la tecnología SEM en la caracterización de los materiales metálicos y proporcionar referencias y orientación para la investigación relacionada Principios básicos del microscopio electrónico de escaneo (SEM)El principio de funcionamiento de un microscopio electrónico de barrido se basa en la interacción entre un haz de electrones y la superficie de la muestra Cuando un haz de electrones de alta energía escanea la superficie de la muestra, se generan varias señales, incluidos electrones secundarios, electrones retrodispersados, radiografías características, etc Estas señales se recogen mediante detectores correspondientes y se procesan para formar imágenes de morfología de la superficie o mapas de distribución elemental de la muestra Preparación de muestra SEM para materiales metálicosAnálisis microestructural: Ciqtek EM proporciona imágenes de alta resolución para ayudar a los investigadores a observar y analice la microestructura de metales y materiales compuestos, como el tamaño del grano, la forma, la fase distribución y defectos (e g., grietas e inclusiones) Esto es crucial para comprender la relación entre propiedades del material y técnicas de procesamiento aleación de titanio αLa zona afectada por el calor es el área más vulnerable en una junta soldada Estudiar los cambios en la microestructura y las propiedades del área soldada son de gran importancia para resolver problemas de soldadura y mejorar la calidad de la soldadura Análisis de composición:Equipado con un sistema EDS o WDS, Ciqtek sem permite cualitativo y Análisis cuantitativo de composición elemental Esto es muy importante para estudiar la distribución Patrones de elementos de aleación y su impacto en las propiedades del material Análisis de línea elemental de edsCombinando SEM con el análisis EDS, los cambios de composición y Distribución de elementos de impurezas enSe puede observar el área de soldadura Análisis de fallas: Después de fallas como fracturas, corrosión u otras formas de daño ocurren en los metales y materiales compuestos, Ciqtek SEM es una herramienta clave para analizar la falla del mecanismo Examinando superficies de fractura, productos de corrosión, etc., se puede identificar la causa raíz de la falla, pr...
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