CIQTEK expondrá en la Conferencia de Microscopía MC2025 en Karlsruhe, Alemania

Microscopia electrónica de barrido (SEM) de filamento de tungsteno universal y de alto rendimiento Microscopio El Microscopio SEM CIQTEK SEM3200 Es un excelente microscopio electrónico de barrido (MEB) de filamento de tungsteno de uso general con excepcionales capacidades generales. Su exclusiva estructura de cañón de electrones de doble ánodo garantiza una alta resolución y mejora la relación señal-ruido de la imagen a bajos voltajes de excitación. Además, ofrece una amplia gama de accesorios opcionales, lo que convierte al SEM3200 en un instrumento analítico versátil con excelente capacidad de expansión.

Georgia + Microscopio electrónico de barrido con emisión de campo de haz de iones enfocado El Microscopio electrónico de barrido de haz de iones enfocado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) Cuenta con una columna de haz de iones enfocado para nanoanálisis y preparación de muestras. Utiliza tecnología de óptica electrónica de "supertúnel", baja aberración y diseño de objetivo no magnético, además de la característica de "bajo voltaje y alta resolución" que garantiza sus capacidades analíticas a escala nanométrica. Las columnas de iones facilitan una Ga + Fuente de iones metálicos líquidos con haces de iones de alta estabilidad y calidad para garantizar la nanofabricación. La DB550 es una estación de trabajo integral de nanoanálisis y fabricación con un nanomanipulador integrado, un sistema de inyección de gas y una interfaz gráfica de usuario intuitiva.

Microscopía electrónica de barrido por emisión de campo de ultraalta resolución (FESEM) El CIQTEK SEM5000X Es un FESEM de ultraalta resolución con un diseño optimizado de columna de óptica electrónica, que reduce las aberraciones generales en un 30 % y alcanza una resolución ultraalta de 0,6 nm a 15 kV y 1,0 nm a 1 kV. Su alta resolución y estabilidad lo hacen ventajoso en la investigación avanzada de materiales nanoestructurales, así como en el desarrollo y la fabricación de chips de circuitos integrados semiconductores de nodos de alta tecnología.