CIQTEK presenta la solución 4D-STEM para microscopía electrónica avanzada
CIQTEK presenta la solución 4D-STEM para microscopía electrónica avanzada
September 28, 2025
Microscopía electrónica de transmisión de barrido en cuatro dimensiones (4D-STEM)
Es una de las áreas más innovadoras en microscopía electrónica. Al realizar un escaneo bidimensional de la superficie de la muestra y registrar un patrón de difracción completo en cada punto de escaneo con un detector pixelado, 4D-STEM genera un conjunto de datos cuatridimensional que contiene información tanto del espacio real como del espacio recíproco.
Esta técnica supera las limitaciones de la microscopía electrónica convencional, que normalmente solo capta una única señal de dispersión. En su lugar, captura y analiza todo el espectro de interacciones electrón-muestra. Con 4D-STEM, los investigadores pueden lograr múltiples funcionalidades avanzadas en un solo experimento, incluyendo imágenes virtuales, orientación de cristales y mapeo de deformaciones, análisis de la distribución de campos eléctricos y magnéticos (contraste de fase diferencial) e incluso reconstrucción con resolución atómica mediante apilamiento de difracción. Amplía considerablemente la dimensionalidad y la profundidad de la caracterización de materiales, ofreciendo una herramienta sin precedentes para la nanociencia y la investigación de materiales.
En la Conferencia Nacional China sobre Microscopía Electrónica 2025 (del 26 al 30 de septiembre, Wuhan),
CIQTEK
lanza su
Solución 4D-STEM
, diseñado para romper los límites de la imagenología tradicional y ofrecer datos con una dimensionalidad y un poder analítico inigualables.
Flujo de trabajo del sistema
El
Solución CIQTEK 4D-STEM
características
Alta resolución espacial, análisis multidimensional, operación de baja dosis
para minimizar el daño del haz y un procesamiento de datos flexible
, proporcionando a los investigadores métodos fiables y excepcionales para el análisis de materiales avanzados.
Georgia + Microscopio electrónico de barrido con emisión de campo de haz de iones enfocado El Microscopio electrónico de barrido de haz de iones enfocado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) Cuenta con una columna de haz de iones enfocado para nanoanálisis y preparación de muestras. Utiliza tecnología de óptica electrónica de "supertúnel", baja aberración y diseño de objetivo no magnético, además de la característica de "bajo voltaje y alta resolución" que garantiza sus capacidades analíticas a escala nanométrica. Las columnas de iones facilitan una Ga + Fuente de iones metálicos líquidos con haces de iones de alta estabilidad y calidad para garantizar la nanofabricación. La DB550 es una estación de trabajo integral de nanoanálisis y fabricación con un nanomanipulador integrado, un sistema de inyección de gas y una interfaz gráfica de usuario intuitiva.
Ultraalta resolución Microscopio electrónico de barrido con filamento de tungsteno El CIQTEK SEM3300 Microscopio electrónico de barrido (SEM) Incorpora tecnologías como la óptica electrónica de "supertúnel", detectores de electrones en la lente y lentes de objetivo compuestas electrostáticas y electromagnéticas. Al aplicar estas tecnologías al microscopio de filamento de tungsteno, se supera el límite de resolución de este tipo de microscopio electrónico de barrido (MEB), lo que permite realizar análisis de bajo voltaje que antes solo se podían realizar con MEB de emisión de campo.
Microscopía electrónica de barrido por emisión de campo de ultraalta resolución (FESEM) El CIQTEK SEM5000X Es un FESEM de ultraalta resolución con un diseño optimizado de columna de óptica electrónica, que reduce las aberraciones generales en un 30 % y alcanza una resolución ultraalta de 0,6 nm a 15 kV y 1,0 nm a 1 kV. Su alta resolución y estabilidad lo hacen ventajoso en la investigación avanzada de materiales nanoestructurales, así como en el desarrollo y la fabricación de chips de circuitos integrados semiconductores de nodos de alta tecnología.
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