Reconstrucción 3D de alta velocidad y alta resolución: la solución de microscopía electrónica volumétrica CIQTEK abre nuevas dimensiones en la caracterización biológica

Georgia + Microscopio electrónico de barrido con emisión de campo de haz de iones enfocado El Microscopio electrónico de barrido de haz de iones enfocado CIQTEK DB550 (FIB-SEM) Cuenta con una columna de haz de iones enfocado para nanoanálisis y preparación de muestras. Utiliza tecnología de óptica electrónica de "supertúnel", baja aberración y diseño de objetivo no magnético, además de la característica de "bajo voltaje y alta resolución" que garantiza sus capacidades analíticas a escala nanométrica. Las columnas de iones facilitan una Ga + Fuente de iones metálicos líquidos con haces de iones de alta estabilidad y calidad para garantizar la nanofabricación. La DB550 es una estación de trabajo integral de nanoanálisis y fabricación con un nanomanipulador integrado, un sistema de inyección de gas y una interfaz gráfica de usuario intuitiva.

Alta velocidad Emisión de campo totalmente automatizada Microscopio electrónico de barrido Puesto de trabajo CIQTEK HEM6000 tecnologías de instalaciones como el cañón de electrones de corriente de haz grande de alto brillo, sistema de deflexión de haz de electrones de alta velocidad, desaceleración de etapa de muestra de alto voltaje, eje óptico dinámico y lente objetivo combinado electromagnético y electrostático de inmersión para lograr una adquisición de imágenes de alta velocidad al tiempo que se garantiza una resolución a escala nanométrica. El proceso de operación automatizada está diseñado para aplicaciones como un flujo de trabajo de imágenes de alta resolución de áreas extensas más eficiente e inteligente. Su velocidad de captura de imágenes es cinco veces mayor que la de un microscopio electrónico de barrido por emisión de campo (FESEM) convencional.

Microscopía electrónica de barrido por emisión de campo de ultraalta resolución (FESEM) El CIQTEK SEM5000X Es un FESEM de ultraalta resolución con un diseño optimizado de columna de óptica electrónica, que reduce las aberraciones generales en un 30 % y alcanza una resolución ultraalta de 0,6 nm a 15 kV y 1,0 nm a 1 kV. Su alta resolución y estabilidad lo hacen ventajoso en la investigación avanzada de materiales nanoestructurales, así como en el desarrollo y la fabricación de chips de circuitos integrados semiconductores de nodos de alta tecnología.